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JFET 2N5457

JFET 2N5457

¿Qué es el Transistor 2N5457?

El 2N5457 es un transistor de efecto de campo de unión (JFET) de canal N, diseñado específicamente para aplicaciones de amplificación de pequeñas señales de RF y audio. Es uno de los JFETs más populares y utilizados en el mundo, especialmente valorado por su bajo ruido, alta impedancia de entrada y excelente estabilidad térmica.

¿Qué es un JFET y cómo funciona?

Un JFET (Junction Field Effect Transistor) es un transistor controlado por voltaje, no por corriente como los BJT. Características importantes:

Características Principales

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Tipo - JFET N-Channel -
Voltaje Drain-Source máximo VDS 25 V
Voltaje Gate-Source máximo VGS -25 V
Corriente de Drain máxima ID 10 mA
Corriente de Drain (VGS=0) IDSS 1-5 mA
Voltaje de corte Gate-Source VGS(off) -0.5 a -6 V
Transconductancia gfs 1000-5000 µS
Corriente de fuga Gate IGSS 1 nA
Capacitancia Gate-Source Ciss 7 pF
Capacitancia Gate-Drain Crss 3 pF
Potencia máxima PD 310 mW
Temperatura de operación TJ -65 a +150 °C
Encapsulado - TO-92 -

Configuración de Pines (Pinout)

Encapsulado TO-92 (vista desde abajo):

Nota: La configuración de pines puede variar según el fabricante. Siempre verificar el datasheet específico del fabricante.

Aplicaciones Típicas

Equivalentes y Reemplazos

Los siguientes JFETs pueden usarse como reemplazo del 2N5457 en la mayoría de aplicaciones:

Importante: Los JFETs tienen variaciones significativas entre unidades. Verificar siempre IDSS y VGS(off) para aplicaciones críticas.

Transistores Complementarios

Los JFETs de canal P que pueden usarse como complemento del 2N5457 son:

Estos pares complementarios son útiles en:

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