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2N5551

2N5551

¿Qué es el Transistor 2N5551?

El 2N5551 es un transistor bipolar de unión (BJT) tipo NPN de alto voltaje, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren tensiones superiores a los transistores convencionales. Con una capacidad de 160V entre colector y emisor, es 4 veces superior al popular 2N3904 (40V), manteniendo una corriente respetable de 600mA. Es el transistor ideal para fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de línea, drivers de alta tensión y cualquier aplicación donde se necesite manejar voltajes elevados con seguridad.

Características Principales

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Tipo - NPN Bipolar -
Voltaje Colector-Emisor máximo VCEO 160 V
Voltaje Colector-Base máximo VCBO 180 V
Voltaje Emisor-Base máximo VEBO 6 V
Corriente de Colector máxima IC 600 mA
Ganancia de corriente (hFE) β 100-300 -
Frecuencia de transición fT 100 MHz
Potencia máxima PD 625 mW
Temperatura de operación TJ -65 a +150 °C
Voltaje de saturación CE VCEsat 0.4 V
Tiempo de conmutación ts 10 ns

Configuración de Pines (Pinout)

Encapsulado TO-92 (vista frontal plana hacia usted):

Secuencia: E-B-C (de izquierda a derecha). Encapsulado TO-92 de plástico negro, idéntico a otros transistores de la serie 2N.

Aplicaciones Típicas

Equivalentes y Reemplazos

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del 2N5551 en aplicaciones de alto voltaje:

Importante: Para reemplazar en aplicaciones de alta tensión, asegurar que el sustituto soporte al menos 160V.

Transistor Complemento

El complemento PNP del 2N5551 es:

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