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MOSFET 2N7000

MOSFET 2N7000

¿Qué es el Transistor 2N7000?

El 2N7000 es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N y modo enhancement, diseñado para aplicaciones de conmutación de pequeña señal y amplificación. Es uno de los MOSFETs más populares y económicos del mercado, ideal para principiantes y aplicaciones de bajo consumo.

¿Qué es un MOSFET?

Un MOSFET es un transistor controlado por voltaje (no por corriente como los BJT). En un MOSFET N-Channel como el 2N7000, al aplicar un voltaje positivo en el Gate (compuerta) respecto al Source (fuente), se forma un canal conductivo que permite el flujo de corriente del Drain (drenador) al Source.

Características Principales

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Tipo - N-Channel Enhancement MOSFET -
Voltaje Drain-Source máximo VDSS 60 V
Voltaje Gate-Source máximo VGSS ±20 V
Corriente de Drain máxima ID 200 mA
Corriente de Drain pulsada IDM 500 mA
Resistencia ON RDS(on) 5.3 Ω
Voltaje umbral Gate-Source VGS(th) 0.8 a 3.0 V
Capacitancia Gate-Source Ciss 60 pF
Potencia máxima PD 400 mW
Temperatura de operación TJ -55 a +150 °C
Encapsulado - TO-92 -

Configuración de Pines (Pinout)

Encapsulado TO-92 (vista frontal con pines hacia abajo):

Nota: El encapsulado TO-92 es el mismo que se usa en transistores pequeños como el 2N2222, pero con diferente configuración de pines.

Aplicaciones Típicas

Equivalentes y Reemplazos

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del 2N7000:

Importante: Verificar siempre el pinout y las especificaciones antes de realizar sustituciones, especialmente en versiones SMD.

Transistor Complemento

El complemento P-Channel del 2N7000 es:

Estos MOSFETs complementarios son útiles en:

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