BD679

¿Qué es el BD679?

El BD679 es un transistor NPN en configuración Darlington (monolítico) diseñado para aplicaciones de potencia media; está disponible en encapsulados tipo TO-126 / TO-225 y se emplea tanto en etapas de salida como en conmutación de cargas moderadas.

Características principales

• Tensión máxima colector-emisor (V_CE): 80 V.
• Corriente máxima de colector (I_C): 4 A (corriente continua).
• Disipación de potencia (P_D) en placa (TC = 25 °C): 40 W (derating por temperatura aplicable).
• Tensión base-emisor en conducción (V_BE(on)): ≈ 2,5 V.
• Tensión colector-emisor de saturación típica (V_CE(sat)): ≈ 2,5 V con I_C=1,5 A e I_B=30 mA.

Pinout

En vista frontal del encapsulado TO-126 el orden de pines es:

• 1 — Emisor
• 2 — Colector
• 3 — Base

¿Qué reemplazos tiene y cuál es su complemento?

Reemplazos (máx. 5, con notas):

• BD679A — variante del mismo tipo (misma familia, revisión A).
• BD677 — miembro de la misma familia (mismo esquema Darlington); comprobar V_CE si la aplicación requiere 80 V.
• BD681 — igual familia con mayor V_CE (100 V), útil si necesita margen de tensión superior.
• MJE802 — equivalencia indicada en la documentación del fabricante; revisar encapsulado y parámetros térmicos antes de sustituir.
• BD679G / BD679AG — variantes con sufijos de proceso/paquete, sustituciones directas.

Complemento (PNP): BD680.

Principio de funcionamiento (explicación simple con números)

El BD679 contiene internamente dos transistores NPN conectados en Darlington. El Darlington ofrece una ganancia de corriente muy alta (h_FE típica/min. ≈ 750), por lo que la corriente de base necesaria en modo activo es pequeña.

• Si la carga requiere I_C = 1,0 A y la ganancia DC práctica es 750, la corriente de base es I_B ≈ 1,33 mA.
• Si I_C = 2,0 A, I_B ≈ 2,67 mA.

En conmutación (saturación) se debe forzar más corriente de base: la hoja de datos muestra I_C = 1,5 A e I_B = 30 mA, lo que implica un factor de ≈ 50. Para I_C = 1 A podría requerirse I_B en el orden de 20 mA. Además, el V_CE(sat) puede ser ~2,5 V, por lo que no baja a 0 V como un MOSFET de baja resistencia.

Aplicaciones típicas

• Etapas finales de amplificadores de audio de baja-media potencia.
• Drivers y conmutación de relés, solenoides y pequeños motores (hasta algunos amperios).
• Etapas de salida en fuentes de alimentación.
• Aplicaciones generales de conmutación y amplificación en equipos industriales y de consumo.

Recomendaciones de uso

• Disipación y montaje: acoplar un disipador apropiado y aplicar derating con la temperatura.
• Respetar el área de operación segura (SOA) indicada en la hoja de datos.
• Dimensionar la resistencia de base o el driver para entregar la corriente necesaria de saturación.
• Tener en cuenta V_CE(sat) relativamente alto (~2,5 V) en cargas altas; considerar MOSFETs si se requiere baja caída de tensión.
• Al sustituir, comparar V_CE, I_C, disipación y pinout antes de reemplazar.