MOSFET BS170
¿Qué es el Transistor BS170?
El BS170 es un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) tipo N-Channel Enhancement fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de switching y amplificación de pequeña a mediana potencia. Es ampliamente utilizado en circuitos de conmutación, amplificadores de señal y como interfaz entre circuitos lógicos y cargas de mayor potencia.
¿Qué es un MOSFET N-Channel Enhancement?
Un MOSFET N-Channel Enhancement es un transistor controlado por voltaje que:
- Está normalmente APAGADO (no conduce) cuando VGS = 0V
- Se ENCIENDE (conduce entre Drain y Source) cuando se aplica voltaje positivo al Gate
- No consume corriente de control (alta impedancia de entrada)
- La corriente fluye del Drain al Source cuando está activado
Características Principales
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Tipo | - | N-Channel Enhancement MOSFET | - |
| Voltaje Drain-Source máximo | VDSS | 60 | V |
| Voltaje Gate-Source máximo | VGSS | ±20 | V |
| Corriente de Drain máxima | ID | 500 | mA |
| Corriente de Drain pulsada | IDM | 2 | A |
| Potencia máxima | PD | 830 | mW |
| Resistencia Drain-Source ON | RDS(on) | 5 | Ω |
| Voltaje umbral Gate-Source | VGS(th) | 0.8 - 3.0 | V |
| Voltaje Gate-Source activación | VGS(on) | 10 | V |
| Capacitancia Gate-Source | Ciss | 50 | pF |
| Temperatura de operación | TJ | -55 a +150 | °C |
| Encapsulado | - | TO-92 | - |
Configuración de Pines (Pinout)
Encapsulado TO-92 (vista desde abajo, pines hacia abajo):
- Pin 1: Drain (D) - Pin izquierdo
- Pin 2: Gate (G) - Pin central
- Pin 3: Source (S) - Pin derecho
Nota: El encapsulado TO-92 es el mismo que los transistores bipolares pequeños como el 2N2222A, pero con diferente configuración de pines.
Aplicaciones Típicas
- Switching de cargas de mediana potencia (LEDs de potencia, relés)
- Amplificadores de pequeña señal
- Interfaz entre microcontroladores y cargas
- Drivers para MOSFETs de mayor potencia
- Circuitos de conmutación PWM
- Amplificadores de audio de baja potencia
- Osciladores y temporizadores
- Circuitos de protección y limitación
- Chopper y convertidores DC-DC pequeños
Equivalentes y Reemplazos
Los siguientes MOSFETs pueden usarse como reemplazo del BS170:
- 2N7000: Muy similar, 200mA vs 500mA del BS170
- BSS123: Equivalente directo, mismas características
- VN10KM: Mayor corriente (1A), compatible
- 2N7008: Similar con mayor voltaje (60V)
- BS108: Versión anterior, características similares
- BSN20: Alternativa moderna equivalente
- MMBF170: Versión SMD SOT-23
- NTD2955: Mayor corriente, pin compatible
Importante: Verificar siempre las especificaciones de voltaje, corriente y RDS(on) antes de realizar sustituciones, especialmente en aplicaciones críticas.
Transistor Complemento
El complemento P-Channel del BS170 es:
- BS250: MOSFET P-Channel enhancement con características similares pero polaridad opuesta (-60V, -230mA)
Este par complementario BS170/BS250 es útil en:
- Amplificadores push-pull CMOS
- Inversores lógicos de potencia
- Circuitos que requieren conmutación simétrica
- Drivers complementarios para cargas balanceadas
Nota: El BS250 tiene menor corriente (230mA) que el BS170 (500mA), por lo que en aplicaciones de alta corriente puede ser necesario usar un P-Channel de mayor capacidad.