MOSFET IRF3205
¿Qué es el Transistor IRF3205?
El IRF3205 es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N y alta potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación que requieren corrientes extremadamente altas. Con capacidad para manejar hasta 110 amperios, es uno de los MOSFETs más potentes disponibles comercialmente y es ampliamente utilizado en inversores, soldadoras por puntos, fuentes de alimentación switching y aplicaciones automotrices.
¿Qué es un MOSFET N-Channel?
Un MOSFET N-Channel es un transistor controlado por voltaje donde:
- No consume corriente en el gate (solo voltaje para activarse)
- Se activa con voltaje positivo en el gate (típicamente 10V para máxima conductividad)
- Conduce desde Drain a Source cuando está activado
- Muy baja resistencia cuando está completamente encendido (RDS(on))
Características Principales
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Tipo | - | N-Channel MOSFET | - |
| Voltaje Drain-Source máximo | VDSS | 55 | V |
| Corriente Drain continua | ID | 110 | A |
| Corriente Drain pulsada | IDM | 440 | A |
| Resistencia Drain-Source ON | RDS(on) | 8 | mΩ |
| Voltaje Gate-Source máximo | VGSS | ±20 | V |
| Voltaje umbral Gate-Source | VGS(th) | 2-4 | V |
| Voltaje Gate-Source recomendado | VGS | 10-12 | V |
| Potencia máxima | PD | 200 | W |
| Capacitancia Gate-Drain | Cgd | 1400 | pF |
| Temperatura de operación | TJ | -55 a +175 | °C |
| Encapsulado | - | TO-220AB | - |
Configuración de Pines (Pinout)
Encapsulado TO-220AB (vista frontal con pines hacia abajo):
- Pin 1: Gate (G) - Pin izquierdo
- Pin 2: Drain (D) - Pin central y pestaña metálica
- Pin 3: Source (S) - Pin derecho
Nota: La pestaña metálica trasera está conectada internamente al Drain y debe fijarse al disipador de calor con aislante térmico si es necesario.
Aplicaciones Típicas
- Inversores de corriente de alta potencia (12V a 220V)
- Soldadoras por puntos y de arco
- Fuentes de alimentación switching (SMPS) de alta corriente
- Controladores de motores DC de gran potencia
- Sistemas de carga rápida para baterías
- Amplificadores clase D de audio
- Protección de circuitos con relés de estado sólido
- Sistemas automotrices (arrancadores, winches)
- Aplicaciones en energía solar (inversores MPPT)
Equivalentes y Reemplazos
Los siguientes MOSFETs pueden usarse como reemplazo del IRF3205 (verificar especificaciones del circuito):
- IRFB3077: 75V, 210A, RDS(on) 3.7mΩ - Mayor voltaje y corriente
- IRLB3034: 40V, 195A, RDS(on) 1.7mΩ - Logic level, menor voltaje
- FQP30N06L: 60V, 32A, RDS(on) 35mΩ - Logic level, menor corriente
- STB80NF55: 55V, 80A, RDS(on) 9.5mΩ - Características similares
- STP80NF55: 55V, 80A, RDS(on) 9.5mΩ - Alternativa europea
- IRFP3077: 75V, 120A, RDS(on) 6.5mΩ - Mayor voltaje
- IXFH80N30P3: 300V, 80A - Para alto voltaje
Importante: Verificar siempre voltaje máximo, corriente, RDS(on) y tipo de gate (standard vs logic level) antes de sustituir.
Transistor Complemento
El complemento P-Channel del IRF3205 es:
- IRF5210: P-Channel, 100V, 40A, RDS(on) 60mΩ - Complemento de potencia
- IRFP9240: P-Channel, 200V, 12A, RDS(on) 0.5Ω - Para alto voltaje
Nota sobre complementos P-Channel:
Los MOSFETs P-Channel de corrientes equivalentes al IRF3205 (110A) son muy raros y costosos. En aplicaciones que requieren complementarios, como puentes H o amplificadores push-pull, se suelen usar configuraciones alternativas:
- Usar solo N-Channel con bootstrap drivers
- Usar múltiples P-Channel en paralelo
- Usar gate drivers con carga de bomba