MOSFET IRF520N
¿Qué es el Transistor IRF520N?
El IRF520N es un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de canal N y tipo enhancement, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia. Es uno de los MOSFETs más populares y vendidos mundialmente debido a su excelente relación precio-prestaciones, facilidad de uso y versatilidad en aplicaciones de switching y control de cargas.
¿Qué es un MOSFET?
Un MOSFET es un transistor controlado por voltaje (no por corriente como los BJT). Tiene tres terminales: Gate (puerta), Drain (drenador) y Source (fuente). En un MOSFET N-Channel como el IRF520N, la corriente fluye del Drain al Source cuando se aplica un voltaje positivo suficiente entre Gate y Source.
Características Principales
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Tipo | - | N-Channel Enhancement MOSFET | - |
| Voltaje Drain-Source máximo | VDSS | 100 | V |
| Corriente de Drain continua | ID | 9.7 | A |
| Corriente de Drain pulsada | IDM | 39 | A |
| Resistencia Drain-Source ON | RDS(on) | 0.27 | Ω |
| Voltaje Gate-Source máximo | VGS | ±20 | V |
| Voltaje de umbral Gate-Source | VGS(th) | 2-4 | V |
| Corriente de Gate | IG | ±100 | nA |
| Potencia máxima | PD | 60 | W |
| Temperatura de operación | TJ | -55 a +175 | °C |
| Encapsulado | - | TO-220AB | - |
Configuración de Pines (Pinout)
Encapsulado TO-220AB (vista frontal):
- Pin 1: Gate (G) - Pin izquierdo
- Pin 2: Drain (D) - Pin central y pestaña metálica
- Pin 3: Source (S) - Pin derecho
Nota: La pestaña metálica trasera está conectada internamente al Drain y debe fijarse al disipador de calor para aplicaciones de alta corriente.
Aplicaciones Típicas
- Control de motores DC (switching ON/OFF y PWM)
- Switching de cargas resistivas e inductivas
- Inversores de voltaje DC-AC
- Fuentes de alimentación switching (SMPS)
- Control de LEDs de alta potencia
- Circuitos de protección y limitación
- Amplificadores clase D
- Sistemas de carga de baterías
- Controladores para Arduino y microcontroladores
Equivalentes y Reemplazos
Los siguientes MOSFETs pueden usarse como reemplazo directo del IRF520N:
- IRF530N: 100V, 14A - Mayor corriente, mismo voltaje
- IRF540N: 100V, 33A - Mucho mayor corriente, mismo voltaje
- STF9N80K5: 800V, 8A - Mucho mayor voltaje
- FQP30N06L: 60V, 32A - Logic level, mayor corriente
- IRLB8721PBF: 30V, 62A - Logic level, corriente extrema
- FDP8880: 80V, 12A - Superficie montaje alternativo
- IRL520N: Logic level version del IRF520N
- STP9NK50Z: 500V, 8A - Alto voltaje alternativo
Importante: Verificar siempre las especificaciones de RDS(on), corriente máxima y voltaje del circuito antes de realizar sustituciones.
Transistor Complemento
El complemento P-Channel del IRF520N es:
- IRF9520N: P-Channel MOSFET (-100V, -6.8A, RDS(on)=0.6Ω)
- IRF5305: P-Channel alternativo (-55V, -31A, RDS(on)=0.06Ω)
Estos MOSFETs complementarios son útiles en:
- Circuitos push-pull y half-bridge
- Inversores complementarios
- Switching de alta y baja side
- Amplificadores clase AB con MOSFETs
- Circuitos de protección de polaridad