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MOSFET IRF5305

MOSFET IRF5305

¿Qué es el Transistor IRF5305?

El IRF5305 es un MOSFET de potencia P-Channel tipo Enhancement fabricado por International Rectifier (ahora Infineon). Está diseñado para aplicaciones de switching de alta corriente, protección de polaridad inversa y control de cargas en el lado positivo (high-side switching). Es uno de los MOSFETs P-Channel más populares y ampliamente utilizados en la industria electrónica.

¿Qué es un MOSFET P-Channel?

Un MOSFET P-Channel conduce corriente cuando se aplica un voltaje negativo al Gate respecto al Source. En aplicaciones típicas, se conecta entre la alimentación positiva y la carga, permitiendo controlar el flujo de corriente desde el lado positivo del circuito. Es el complemento perfecto de los MOSFETs N-Channel para aplicaciones simétricas.

Características Principales

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Tipo - P-Channel Enhancement -
Voltaje Drain-Source máximo VDS 55 V
Corriente Drain máxima (continua) ID 31 A
Corriente Drain máxima (picos) IDM 120 A
Resistencia Drain-Source RDS(on) 0.06 Ω
Voltaje Gate-Source máximo VGS ±20 V
Voltaje umbral Gate-Source VGS(th) -2 a -4 V
Corriente Gate máxima IG ±100 nA
Potencia máxima PD 110 W
Capacitancia Gate-Source Ciss 1300 pF
Temperatura de operación TJ -55 a +175 °C
Encapsulado - TO-220AB -

Configuración de Pines (Pinout)

Encapsulado TO-220AB (vista frontal):

Nota: La pestaña metálica trasera está conectada internamente al Drain. En aplicaciones P-Channel, el Drain normalmente se conecta al positivo de la alimentación.

Aplicaciones Típicas

Equivalentes y Reemplazos

Los siguientes MOSFETs pueden usarse como reemplazo del IRF5305:

Importante: Verificar siempre RDS(on), voltaje y corriente máxima antes de realizar sustituciones. También considerar el encapsulado y la disposición de pines.

Transistor Complemento

El complemento N-Channel del IRF5305 es:

Este par complementario IRF3205/IRF5305 es extremadamente popular en:

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