MOSFET IRF630
¿Qué es el Transistor IRF630?
El IRF630 es un transistor MOSFET N-Channel de potencia tipo Enhancement, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alto voltaje. Con una capacidad de 200V y 9A, es ideal para fuentes de alimentación switching (SMPS), inversores y circuitos que requieren manejo de tensiones elevadas con alta eficiencia.
¿Qué es un MOSFET N-Channel Enhancement?
Un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) N-Channel Enhancement es un transistor que:
- Se controla por voltaje en lugar de corriente (como los BJT)
- Está normalmente apagado (OFF) cuando el gate está a 0V
- Se activa aplicando voltaje positivo al gate (típicamente 10V)
- La corriente fluye del Drain al Source cuando está activado
- Tiene muy alta impedancia de entrada (prácticamente no consume corriente de control)
Características Principales
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Tipo | - | N-Channel Enhancement MOSFET | - |
| Voltaje Drain-Source máximo | VDSS | 200 | V |
| Corriente de Drain continua | ID | 9 | A |
| Corriente de Drain pulsada | IDM | 36 | A |
| Voltaje Gate-Source máximo | VGS | ±20 | V |
| Voltaje umbral Gate-Source | VGS(th) | 2-4 | V |
| Resistencia Drain-Source ON | RDS(on) | 0.4 @ VGS=10V | Ω |
| Potencia máxima | PD | 75 @ TC=25°C | W |
| Capacitancia entrada | Ciss | 1100 | pF |
| Capacitancia salida | Coss | 150 | pF |
| Tiempo subida | tr | 21 | ns |
| Tiempo bajada | tf | 14 | ns |
| Temperatura de operación | TJ | -55 a +175 | °C |
| Encapsulado | - | TO-220AB | - |
Configuración de Pines (Pinout)
Encapsulado TO-220AB (vista frontal):
- Pin 1: Gate (G) - Pin izquierdo
- Pin 2: Drain (D) - Pin central y pestaña metálica
- Pin 3: Source (S) - Pin derecho
Nota: La pestaña metálica trasera está conectada internamente al Drain y debe fijarse al disipador de calor. El agujero de montaje está aislado eléctricamente.
Aplicaciones Típicas
- Fuentes de alimentación switching (SMPS) de alto voltaje
- Convertidores DC-DC step-down y step-up
- Inversores de voltaje para iluminación LED
- Circuitos de corrección de factor de potencia (PFC)
- Drivers para transformadores de alto voltaje
- Sistemas UPS (fuentes ininterrumpidas)
- Cargadores de baterías de alta tensión
- Conmutación en circuitos de 110V-220V rectificados
Equivalentes y Reemplazos
Los siguientes MOSFETs pueden usarse como reemplazo del IRF630:
- IRFB31N20D: 200V, 31A - Mayor corriente, pin compatible
- STP10NK60Z: 600V, 10A - Mucho mayor voltaje, similar corriente
- IRF740: 400V, 10A - Mayor voltaje, ligeramente más corriente
- FQPF10N20C: 200V, 9.3A - Especificaciones muy similares
- SPP11N25C3: 250V, 11A - Mejor especificación general
- IRFBC30A: 600V, 3.6A - Para aplicaciones de muy alto voltaje
- STF10N20K3: 200V, 10A - Equivalente directo de STMicroelectronics
Importante: Al reemplazar, verificar que el nuevo MOSFET tenga al menos las mismas especificaciones de voltaje, corriente y potencia. MOSFETs con mayor rating pueden usarse sin problemas.
Transistor Complemento
El IRF630 siendo un MOSFET N-Channel no tiene un complemento directo P-Channel con especificaciones idénticas, pero para aplicaciones que requieren configuración complementaria se pueden usar:
- IRF9630: P-Channel, 200V, 6.5A - Especificaciones similares pero menor corriente
- IRFP9240: P-Channel, 200V, 12A - Mayor corriente, excelente complemento
- IRF5210: P-Channel, 100V, 40A - Menor voltaje pero mucha mayor corriente
Estos pares complementarios son útiles en:
- Inversores push-pull de alto voltaje
- Amplificadores clase D de potencia
- Puentes H para control de motores de alto voltaje
- Circuitos de conmutación bidireccional