MOSFET IRF730
¿Qué es el Transistor IRF730?
El IRF730 es un transistor MOSFET N-Channel de potencia diseñado específicamente para aplicaciones de alto voltaje. Con una capacidad de 400V y tecnología de silicio mejorada, es ideal para fuentes de alimentación switching (SMPS), inversores y circuitos que manejan tensiones elevadas. Forma parte de la reconocida serie IRF de International Rectifier (ahora Infineon).
¿Qué es un MOSFET N-Channel?
Un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) N-Channel es un transistor controlado por voltaje que permite el flujo de corriente del Drenador (Drain) al Surtidor (Source) cuando se aplica un voltaje positivo en la Compuerta (Gate). A diferencia de los transistores bipolares, los MOSFETs no consumen corriente de control y tienen una resistencia muy baja cuando están activados.
Características Principales
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Tipo | - | N-Channel MOSFET | - |
| Voltaje Drenador-Surtidor máximo | VDSS | 400 | V |
| Corriente de Drenador continua | ID | 5.5 | A |
| Corriente de Drenador pulsada | IDM | 22 | A |
| Resistencia Drenador-Surtidor ON | RDS(on) | 1.5 | Ω |
| Voltaje umbral Gate-Source | VGS(th) | 2-4 | V |
| Voltaje Gate-Source máximo | VGS | ±20 | V |
| Potencia máxima | PD | 50 | W |
| Capacitancia entrada | Ciss | 390 | pF |
| Tiempo encendido | ton | 12 | ns |
| Tiempo apagado | toff | 26 | ns |
| Temperatura de operación | TJ | -55 a +175 | °C |
| Encapsulado | - | TO-220AB | - |
Configuración de Pines (Pinout)
Encapsulado TO-220AB (vista frontal):
- Pin 1: Gate (G) - Pin izquierdo
- Pin 2: Drain (D) - Pin central y pestaña metálica
- Pin 3: Source (S) - Pin derecho
Nota: La pestaña metálica trasera está conectada internamente al Drain y debe aislarse del disipador si se requiere aislamiento eléctrico.
Aplicaciones Típicas
- Fuentes de alimentación switching (SMPS) de alta tensión
- Convertidores flyback para televisores y monitores
- Inversores DC-AC de alta tensión
- Controladores para tubos fluorescentes (balastos electrónicos)
- Circuitos de encendido electrónico
- Switching de cargas de alto voltaje
- Fuentes offline (conectadas directamente a la red eléctrica)
- Convertidores boost de alta tensión
Equivalentes y Reemplazos
Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del IRF730:
- IRFBC40: Reemplazo directo con características similares
- 2SK2545: Equivalente japonés de Toshiba
- STP6NK40Z: STMicroelectronics, 400V, 6A
- FQPF6N40C: Fairchild, 400V, 6A, versión TO-220F
- SPP06N40C3: Infineon, características mejoradas
- IRF840: Mayor corriente (8A) pero compatible en muchas aplicaciones
- BUZ71A: Siemens/Infineon, 400V, 4.5A
Importante: Verificar siempre RDS(on), voltaje de gate y capacitancias antes de sustituir, especialmente en fuentes switching.
Transistor Complemento
El IRF730 no tiene un complemento P-Channel directo debido a las limitaciones técnicas de los MOSFETs P-Channel en alto voltaje. Sin embargo, para aplicaciones que requieren configuración complementaria:
- IRF9130: P-Channel, 100V, 14A - Para aplicaciones de menor voltaje
- IRF5210: P-Channel, 100V, 40A - Mayor corriente pero menor voltaje
Nota: Los MOSFETs P-Channel de alto voltaje (400V) son raros y costosos. En aplicaciones de alto voltaje, se prefieren configuraciones con transformadores o técnicas de bootstrap.