MOSFET IRF840
¿Qué es el Transistor IRF840?
El IRF840 es un transistor MOSFET N-Channel de potencia diseñado para aplicaciones de alta tensión. Con su capacidad de manejar hasta 500V, es especialmente popular en fuentes de alimentación switching (SMPS), inversores y aplicaciones que requieren conmutación de alto voltaje. Forma parte de la reconocida serie IRF de International Rectifier (ahora Infineon).
¿Qué es un MOSFET N-Channel?
Un MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) N-Channel es un transistor controlado por voltaje donde:
- Se activa aplicando voltaje positivo al Gate (compuerta)
- La corriente fluye del Drain (drenaje) al Source (fuente)
- No consume corriente de gate prácticamente (solo durante la conmutación)
- Tiene resistencia interna muy baja cuando está activado (RDS-on)
Características Principales
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Tipo | - | N-Channel MOSFET | - |
| Voltaje Drain-Source máximo | VDSS | 500 | V |
| Voltaje Gate-Source máximo | VGSS | ±30 | V |
| Corriente de Drain continua | ID | 8 | A |
| Corriente de Drain pulsada | IDM | 32 | A |
| Resistencia Drain-Source | RDS(on) | 0.85 | Ω |
| Voltaje Gate-Source umbral | VGS(th) | 2-4 | V |
| Voltaje Gate-Source activación | VGS | 10 | V |
| Potencia máxima disipada | PD | 125 | W |
| Capacitancia Gate-Drain | Cgd | 110 | pF |
| Tiempo rise/fall | tr/tf | 25/60 | ns |
| Temperatura de operación | TJ | -55 a +175 | °C |
| Encapsulado | - | TO-220AB | - |
Configuración de Pines (Pinout)
Encapsulado TO-220AB (vista frontal):
- Pin 1: Gate (G) - Pin izquierdo
- Pin 2: Drain (D) - Pin central y pestaña metálica
- Pin 3: Source (S) - Pin derecho
Nota: La pestaña metálica trasera está conectada internamente al Drain y debe fijarse al disipador de calor con aislamiento eléctrico.
Aplicaciones Típicas
- Fuentes de alimentación switching (SMPS) off-line
- Convertidores DC-DC de alta tensión
- Inversores de potencia
- Controladores de motores de alta tensión
- Circuitos de corrección de factor de potencia (PFC)
- Balastos electrónicos para lámparas
- Soldadoras por inversor
- UPS (sistemas de alimentación ininterrumpida)
- Cargadores de baterías de alta potencia
Equivalentes y Reemplazos
Los siguientes MOSFETs pueden usarse como reemplazo del IRF840:
- IRFP840: Versión mejorada con menor RDS(on) (0.5Ω)
- FQPF8N80C: Fairchild, características similares
- STF8N80K5: STMicroelectronics, 800V/8A
- STP8N80K5: Versión TO-220 del anterior
- FCPF8N80: ON Semiconductor, compatible
- IPP80N08S2L-H5: Infineon, mejor eficiencia
- FDA8N80: Fairchild, equivalente directo
- 2SK2545: Toshiba, aplicaciones similares
Importante: Verificar siempre las especificaciones de voltaje, corriente, RDS(on) y encapsulado antes de realizar sustituciones en aplicaciones críticas.
Transistor Complemento
El IRF840 no tiene un complemento P-Channel directo debido a su alta tensión (500V). Los MOSFETs P-Channel de alta tensión son menos comunes y más costosos. Sin embargo, para aplicaciones que requieren configuración complementaria:
- IRF9240: P-Channel, 200V, 12A - Para aplicaciones de menor voltaje
- IRFP9240: P-Channel, 200V, 12A - Versión mejorada
- SPP07P06P: P-Channel, 60V, 7A - Para aplicaciones de bajo voltaje
Nota: En aplicaciones de 500V, es más común usar configuraciones de medio puente con dos N-Channel o circuitos bootstrap para el lado alto.